В статье представлены результаты работ по модернизации технологического процесса микросхемы устройства выборки и хранения (УВХ) с целью получения комплементарных пар транзисторов в составе ИМС. За счет максимально приближенных значений электрических параметров pnp- и npn- транзисторов снижается уровень входных токов. Высокие входные токи при переключении могут вызывать выбросы и нестабильность выходного сигнала, что приводит к ошибкам в последующих этапах обработки. Для достижения поставленной цели были проанализированы электрические параметры транзисторов в составе ИМС, рассмотрены физико-химические процессы при получении структуры. На основании полученных данных предложено решение по оптимизации структуры ИМС. Оценена эффективность нововведения в сравнении с исходным вариантом конструкции.
