В работе теоретически исследовано влияние интерфейсных фононов на формирование поляронов большого радиуса в квантовых наноструктурах. Определены энергии связи полярона для квантовых ям, квантовых проволок и квантовых точек. Для случая квантовой точки вклады объемных и интерфейсных фононов имеют соизмеримые величины. Таким образом, учет влияния интерфейсных фононов сводится к некоторым изменениям величины энергии связи полярона. Роль интерфейсных фононов оказывается гораздо важнее в квантовых ямах и проволоках. Для них взаимодействие с интерфейсными фононами дает основной вклад в энергию связи полярона. Этот вклад оказывается параметрически больше, чем вклад локализованных в структуре фононов. В результате этого существенное усиление или ослабление поляронного взаимодействия возможно при различном сочетании диэлектрических свойств материалов наноструктуры и барьеров. Это должно проявляться в изменении интенсивности фононных повторений в оптических спектрах рассмотренных структур.
