В статье представлен процесс получения МДП транзисторов со встроенным и индуцированным каналом в едином технологическом процессе. Рассмотрена физическая структура кристалла, получаемая при одновременном формировании МДП транзисторов двух типов. Исследовано влияние дозы загонки бора в карман p-типа на характеристики МДП- транзисторов с разным типом каналов. Проведена оценка влияния технологических режимов формирования МДП транзисторов на их вольт-амперные характеристики.
