В статье представлены результаты исследования по повышению стойкости к статическому электричеству аналогового ключа со схемой управления. С целью повышение стойкости к статическому электричеству были проведены изменения в технологическом процессе, включая использование пирогенного окисления вместо обычного термического окисления подзатворного диэлектрика и формирование кармана p-типа с меньшей дозой примеси бора в исходной структуре КСДИ (кремниевая структура с диэлектрической изоляцией) n-типа для n-канальных транзисторов. Были рассмотрены режимы изготовления и оценено влияние внесенных изменений в сравнении со стандартным технологическим процессом на конечную стойкость нашей микросхемы.
